金屬按鍵開(kāi)關(guān)是一種利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)來(lái)控制開(kāi)關(guān)記錄和關(guān)閉時(shí)間關(guān)系，并保持穩(wěn)定輸出電壓的電源。金屬按鍵開(kāi)關(guān)一般由脈寬調(diào)制控制（PWM）IC和MOSFET組成。與線性電源相比，金屬按鍵開(kāi)關(guān)增加了輸出功率的成本，但增加的速度不同。線性電源的成本高于某一輸出功率點(diǎn)的金屬按鍵開(kāi)關(guān)，即成本支點(diǎn)。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，金屬按鍵開(kāi)關(guān)的技術(shù)不斷變化，這一點(diǎn)的成本變化越來(lái)越向低輸出功率端移動(dòng)，為金屬按鍵開(kāi)關(guān)提供了充足的擴(kuò)展空間。

　　金屬按鍵開(kāi)關(guān)的高頻是其展開(kāi)的方向。高頻金屬化使金屬按鍵開(kāi)關(guān)體積小，金屬按鍵開(kāi)關(guān)進(jìn)入了更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，特別是在使用高科技技能方面，并將高科技產(chǎn)品推廣到小規(guī)模。而光按鍵開(kāi)關(guān)的實(shí)施和使用對(duì)節(jié)約能源、節(jié)約資金和維護(hù)環(huán)境有著重要的意義。用于金屬按鍵開(kāi)關(guān)的電力電子器件主要是二極管、IGBT和MOSFET。晶閘管用于少量帶金屬按鍵開(kāi)關(guān)和軟起動(dòng)電路的輸入整流器電路中。GTR驅(qū)動(dòng)困難，開(kāi)關(guān)頻率低，逐漸被IGBT和MOSFET所取代。

　　三個(gè)條件折疊。

　　1.開(kāi)關(guān)：電子電源設(shè)備工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，而不是線性狀態(tài)。

　　2、高頻：電子電源設(shè)備在高頻運(yùn)行，而不是在低頻附近運(yùn)行。

　　3、直流電：金屬按鍵開(kāi)關(guān)輸出為直流電，不通信。

　　金屬按鍵分類(lèi)：

　　所有在金屬按鍵開(kāi)關(guān)技術(shù)范疇內(nèi)的都是發(fā)展電力電子設(shè)備，而在發(fā)展開(kāi)關(guān)變頻技術(shù)的同時(shí)，二者相互促進(jìn)，相互按壓金屬按鍵開(kāi)關(guān)，克服了每年兩位數(shù)向輕、小、薄、低方向增長(zhǎng)的速度。噪音大，堅(jiān)固，抗干擾方向高。金屬按鍵開(kāi)關(guān)可分為交流/直流和直流/直流。DC/DC變換器已經(jīng)模塊化，規(guī)劃和生產(chǎn)技能在國(guó)內(nèi)外都有經(jīng)驗(yàn)和標(biāo)準(zhǔn)化，并得到了用戶(hù)的認(rèn)可。然而，交直流模塊化由于自身的特點(diǎn)，導(dǎo)致模塊化過(guò)程中技能產(chǎn)生的混亂。下面介紹兩種金屬按鍵開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)。

　　接地

　　金屬按鍵開(kāi)關(guān)會(huì)比線性電源引起更多的干擾。對(duì)共模問(wèn)題敏感的電氣設(shè)備應(yīng)采用接地和屏蔽方式。根據(jù)ICE1000、EN61000、FCC等電磁兼容限制，金屬按鍵開(kāi)關(guān)采用電磁兼容方式。金屬按鍵開(kāi)關(guān)通常應(yīng)具有電磁兼容濾波器。例如，HA系列的金屬按鍵開(kāi)關(guān)蓋華富的能力，F(xiàn)G終端接地或到用戶(hù)的外殼，以滿(mǎn)足先前電磁兼容性的要求。

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